半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 池田 裕章 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068247A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 閾値付近での可飽和吸収層の吸収を減らし、電流-光出力特性の閾値付近の立ち上がりを抑制し、再生時の量子雑音の低減とAPC制御を容易に実現する。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層とを備え、前記第1クラッド層または第2クラッド層の少なくともどちらか一方に、可飽和吸収層が備わると共に、該可飽和吸収層へは前記活性層を経ずに電流が供給されてなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 裕章. 半導体レーザ素子. JP1999068247A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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