半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 幸江; 大場 康夫; 国分 義弘; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1997-08-15 |
| 专利号 | JP2685778B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To reduce the threshold value of a laser oscillation by setting the impurity concentration of an active layer of a double hetero junction made of specific compound on a GaAs substrate to 5X10cm or less. CONSTITUTION:A double hetero junction made of InxGayAl1-x-y (0cm or less. A P-type clad layer 5 contains Zn as impurity, and carrier concentration is set to 1/2 or less of the maximum carrier concentration obtained by doping Zn. Thus, a laser oscillation threshold value can be reduced. |
| 公开日期 | 1997-12-03 |
| 申请日期 | 1988-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83143]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 幸江,大場 康夫,国分 義弘,等. 半導体レーザ装置. JP2685778B2. 1997-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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