半導体レ—ザ
文献类型：专利
| 作者 | フェデリコ カパッソ; アルフレッド イー チョー; クレアー エフ.グマッチュル; アルバート リー フットゥチンソン; デボラ リー シブコ; ジェローム フェイスト; カルロ サートリ |
| 发表日期 | 2000-05-16 |
| 专利号 | JP2000138420A |
| 著作权人 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ |
| 英文摘要 | 【課題】 表面プラズモン系導波路組込み長波長半導体レーザを提供する。 【解決手段】 長波長(中赤外線〜遠赤外線)半導体レーザは、活性領域(AR)と少なくとも一つのクラッド領域(CR)とからなる。CRは、符号が反対の誘電率を有する2つの材料間にライトガイドインターフェース(IF)を有することを特徴とする。ガイドモードは、常用の誘電体クラッド層を必要とすることなく、IFに沿って伝搬する、横方向磁気分極表面波(即ち、表面プラズモン)である。IFは半導体層と金属層との間に形成される。半導体層は、ARの一部であるか、又はARから独立している。金属層の複素屈折率は、その実数部分よりも遙かに大きな虚数部分を有する。本発明のレーザは、一対のCR間に間挿された量子井戸ARを有する。一方のCRは、表面プラズモンに基づくIFであり、他方は、誘電体(半導体)構造物である。 |
| 公开日期 | 2000-05-16 |
| 申请日期 | 1999-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | フェデリコ カパッソ,アルフレッド イー チョー,クレアー エフ.グマッチュル,等. 半導体レ—ザ. JP2000138420A. 2000-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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