半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012953A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡単な製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成し、高信頼なAlGaInP系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本レーザ素子は、第1導電型クラッド層130、活性層110および第2導電型クラッド層120、150を少なくとも含み、第1導電型の半導体基板210上に形成されたダブルヘテロ構造と、第2導電型クラッド層で形成され、共振器方向に延伸するリッジストライプと、共振器の少なくとも一方の光取り出し部のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅よりも狭くなるようにリッジストライプの側面及び上面を覆う第1の電流ブロック層250と、リッジストライプの両側を埋める第2の電流ブロック層190とを備える。第1の電流ブロック層として、AlInPブロック層を用る。これにより、高信頼なAlGaInP系半導体レーザ素子が実現できる。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83177]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土井 健嗣. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000012953A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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