半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 松井 康浩; 上條 健 |
| 发表日期 | 1998-07-17 |
| 专利号 | JP2804197B2 |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 InP基板31を用いた埋め込み型半導体レーザを製造する際、活性層の幅の制御性を良好にかつ電流ブロック層の形成を良好に行なえる方法。 【構成】 n-InP基板31上にグレーテイング33を形成し、その上にn-GaInAsP層35、GaInAsP層37、p-InP層39を形成する。p-InP層39上にストライプ方向が方向で幅Wが約2μmのSiO2 マスク41を形成する。p-InP層39を塩酸系エッチャントで選択的にエッチングして第1上側クラッド層39aを形成しかつマスク41にひさし部41aを形成する。半導体層37、35をアルゴンと塩素の混合ガスによるRIEによりエッチングし活性層37a、光ガイド層35aを得る。これら層35a,37aを硫酸系エッチャントでエッチングする。ストライプ状のメサ部43両側にMOVPE法により電流ブロック層を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-09-24 |
| 申请日期 | 1992-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83186]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,松井 康浩,上條 健. 半導体レーザの製造方法. JP2804197B2. 1998-07-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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