半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 國美; 太田 裕朗 |
| 发表日期 | 2008-09-25 |
| 专利号 | JP2008226865A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード70は、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。基板1は、m面を主面としたGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造2が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造2は、m軸を結晶成長の主面としており、m軸方向に、n型半導体層11、発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。n型半導体層11はn型AlGaNクラッド層14を含み、p型半導体層12はp型AlGaNクラッド層18を含む。リッジストライプ20は、c軸に平行であり、一対の共振器端面21,22は、+c面と-c面である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-09-25 |
| 申请日期 | 2007-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 國美,太田 裕朗. 半導体レーザダイオード. JP2008226865A. 2008-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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