半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087851A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 実効周期が非一定のグレーティングを導波路に具えた半導体レーザを容易に製造する。 【解決手段】 基板10の主表面に、干渉露光法を用いて単一ピッチのグレーティング20を形成する。次に、グレーティング20が形成された基板10上に、互いに線対称の一対の非一定幅の選択成長用マスク22を互いに一定距離だけ離間させて形成する。この一対の選択成長用マスク22の幅は、それぞれ当該選択成長用マスク22の延在方向に沿ってグレーティング20の単一ピッチよりも長い周期で一定の幅から直線的に減少する鋸歯状に変化させて形成する。次に、基板10上の一対の選択成長用マスクの間のマスク間選択成長領域24に、MOVPE法を用いて導波路層26aを選択的に成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83193]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,大柴 小枝子,堀川 英明. 半導体レーザの製造方法. JP1999087851A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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