半導体レーザ素子及びその作製法
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 右田 雅人; 内田 憲治; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-08-19 |
| 专利号 | JP1994232496A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザの高出力化の障害となる端面光破壊現象を防止する。 【構成】半導体レーザの端面をII族元素とVI族元素により構成される半導体層により覆う。この時、端面を覆う半導体層の厚さはこの半導体層と半導体レーザを構成する半導体層の格子定数の差に起因する応力による結晶欠陥の発生を防止するのに十分な薄い層とする。 【効果】従来の高出力半導体レーザで困難であった端面への良好な結晶成長が容易に実現でき、通常ウエハ状態で行われるすべての工程が完了したのちに端面を覆う半導体層を形成することが可能となり、作製工程の合理化が図れる。 |
| 公开日期 | 1994-08-19 |
| 申请日期 | 1993-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,右田 雅人,内田 憲治,等. 半導体レーザ素子及びその作製法. JP1994232496A. 1994-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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