半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 勝利; 辻 伸二; 大石 昭夫; 茅根 直樹 |
| 发表日期 | 1996-02-20 |
| 专利号 | JP1996051256A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 ワイヤボンディングのための電極領域を失なうことなく、素子の静電容量の低下を図り、超高速度調に適した半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体結晶14の主面側には、活性領域11を励起するための電極層の幅を活性領域幅の15倍以下に抑えた上部電極12を設け、上部電極12からリードを取出すためのリード電極16と、ワイヤボンディング専用の領域となるボンディングパッド17を設け、リードワイヤ15をボンディングしている。さらに、半導体結晶11の主面側に部分的に設けられた絶縁膜層20上に、リード電極16とボンディングパッド17が設けられている。 【効果】 主面側に設けられた電極による静電容量を、従来の数分の1に低減することができる。 |
| 公开日期 | 1996-02-20 |
| 申请日期 | 1984-10-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83205]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 勝利,辻 伸二,大石 昭夫,等. 半導体レーザ. JP1996051256A. 1996-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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