半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 波多腰 玄一; 小野村 正明; ジョン·レニー; 鈴木 真理子; 布上 真也; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1998-11-04 |
| 专利号 | JP1998294529A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、基本横モードで連続発振することができ、光ディスクシステム等の光源に適した非点収差のない良質の出射ビームの実現を図る。 【解決手段】 サファイア基板10上のn型GaNバッファ層11上にn型GaAlNクラッド層13、MQWの活性層16、及びp型GaAlNクラッド層19を形成してなり、クラッド層19にストライプ状のリッジを有するダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上のクラッド層19のリッジ部以外の領域に形成された光閉込め層とを備え、光閉込め層の屈折率をp型GaAlNクラッド層の屈折率よりも大きくすることにより、屈折率分布による導波構造を形成して横モードを制御するので、しきい電流密度を低減でき、かつ基本横モードで連続発振できるInGaAlBN系の半導体レーザ及びその製造方法。 |
| 公开日期 | 1998-11-04 |
| 申请日期 | 1997-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多腰 玄一,小野村 正明,ジョン·レニー,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998294529A. 1998-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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