Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | SEKI YASUO |
| 发表日期 | 1977-05-28 |
| 专利号 | JP1977064888A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain a basic mode parallel to an extending direction within oprical waveguides by providing an effective light amplifying region flowing local current in a vertical direction on the layer face of laminar optical waveguides including an active layer, and forming periodically varying region which waves in the extending direction of the optical waveguides thereby feeding back the emission from the effective light amplifying reion to the amplifying region. |
| 公开日期 | 1977-05-28 |
| 申请日期 | 1975-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SEKI YASUO. Semiconductor laser. JP1977064888A. 1977-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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