半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 井戸 豊 |
| 发表日期 | 1994-11-08 |
| 专利号 | JP1994314844A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 エッチング溝が不要で、パッキングデンシティが高くて放熱特性が良く、かつレーザ特性の良い高出力の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 高出力を得る為に、半導体積層基板内に同様の半導体レーザを複数個アレー状に配列してアレーレーザに形成した半導体レーザ素子であって、上記半導体積層基板内に形成した2つのクラッド層11,13で多重量子井戸構造の活性層12を挟んだ層構造として、上記半導体積層基板を高抵抗化すると共に活性層12の多重量子井戸構造を混晶化するイオンを、上記層構造のアレー状に複数個配列したストライプ状の部分を除く部分17に注入し、上記アレー状に複数個配列したストライプ状の活性層の部分を埋め込み活性層18に形成すると共に、これらの各埋め込み活性層18の両側に、光を閉じ込める為の屈折率の小さな層と、高抵抗の電流ブロック層とを兼ねた層17を形成した構造となっている。 |
| 公开日期 | 1994-11-08 |
| 申请日期 | 1993-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 豊. 半導体レーザ素子. JP1994314844A. 1994-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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