半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高岡 圭児; 櫛部 光弘; 平山 雄三 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274645A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlN系材料を埋め込み層として用いることができ、かつ活性領域を形成する他の半導体側に転位や歪みが導入されるのを抑制して良質な活性層を得ることができ、しきい値の低減や信頼性の向上等をはかる。 【解決手段】 p型InP基板101上に、p型InPバッファ兼クラッド層102,MQW活性層103,n型InPクラッド層104,n型InPコンタクト層105が形成され、各層105〜102がメサ状に加工された半導体レーザにおいて、メサ側面に多結晶のAlGaN層110を埋め込み形成した。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高岡 圭児,櫛部 光弘,平山 雄三. 半導体素子及びその製造方法. JP1999274645A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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