半導体レーザダイオードとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊; 多田 仁史 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321947A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窓構造の半導体レーザダイオードにおいて、動作電流を増加させることなく高い光出力を可能にする。 【解決手段】 n型化合物半導体第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に成長された化合物半導体活性層と、活性層上に成長されたp型化合物半導体からなり、上面に一方の共振端面から他方の共振端面に至るリッジ部が形成された第2のクラッド層とを備え、共振端面の近傍において、上記第2のクラッド層の上面から上記第1のクラッド層の途中までZnをドープして共振端面の近傍の活性層を無秩序化した窓構造の半導体レーザダイオードであって、共振端面の近傍の上記第2のクラッド層に、Siをドープした領域を形成した。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83229]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊,多田 仁史. 半導体レーザダイオードとその製造方法. JP1998321947A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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