半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1993-03-26 |
| 专利号 | JP1993075213A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】製造過程でストライプ状メサ部形成後の表面に生成される酸化膜を除去し、結晶性のよい電流阻止層を埋め込む。 【構成】半導体レーザ素子を製造する過程において、選択エッチングでストライプ状メサ部を形成した後、硫化アンモニュウム溶液を用いて表面処理を行ない、メサ部表面に生ずる酸化膜を除去して安定な表面を得、その後に選択エピタキシャル成長させた電流阻止層を埋め込むことにより、結晶性のよい良質の電流阻止層を均一に、再現性よく形成することができる。 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 申请日期 | 1991-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83233]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993075213A. 1993-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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