半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 中島 徹人; 堀川 英明; 後藤 修 |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195524A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 光分布が活性層近傍にのみ分布するように最適化し、発振損失が減少し、発光効率の向上を図り得る半導体レーザを提供する。 【構成】 p-InGaPクラッド層8、p+ -GaAsコンタクト層9の厚みが、発振横モードがシングルになる、つまり、光分布が活性層4近傍にのみ分布するように最適化する。 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1995-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83234]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,中島 徹人,堀川 英明,等. 半導体レーザ. JP1996195524A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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