半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 幸田 倫太郎; 渡部 義昭 |
| 发表日期 | 2010-02-12 |
| 专利号 | JP2010034408A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】物性値に大きく依らずに、横方向の光閉じ込め性を規定することの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】基板10上に、下部クラッド層21、活性層22、上部クラッド層23およびコンタクト層24がこの順に形成されており、上部クラッド層23の上部およびコンタクト層24が帯状のリッジ導波路25となっている。リッジ導波路25の両側面に、第1薄膜31および第2薄膜32をリッジ導波路25の側面側から順に積層してなる多層反射膜30が形成されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-12 |
| 申请日期 | 2008-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幸田 倫太郎,渡部 義昭. 半導体発光素子. JP2010034408A. 2010-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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