半導体レーザ装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荒川 智志; 石川 卓哉; 粕川 秋彦; 大久保 典雄; 岩井 則広; 二ノ宮 隆夫 |
| 发表日期 | 1997-07-22 |
| 专利号 | JP1997191150A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造工程の簡易化と製造歩留りの向上を図り、信頼性の高い大出力の半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 GaAs基板上に選択領域成長用マスクを用いた有機金属気相成長法により膜厚を異ならせてレーザ素子領域と光出射領域と形成し、レーザ素子領域のレーザ活性層における発振波長を0.8〜1μmに設定し、光出射領域の導波路層の禁制帯幅をレーザ活性層に対して大きく設定することで、上記レーザ発振波長に対して透明化する。特にレーザ活性層/導波路層をIn1-xGaxAsP層とし、III族元素の割合xを[0.5〜0.8]に設定する。 |
| 公开日期 | 1997-07-22 |
| 申请日期 | 1996-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒川 智志,石川 卓哉,粕川 秋彦,等. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP1997191150A. 1997-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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