半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏 |
| 发表日期 | 1998-05-01 |
| 专利号 | JP2776375B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、高温で低閾値、高効率および高出力動作が可能な半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 活性層とp型InP層(第1層)、n型InP層(第2層)、p型InP層(第3層)およびn型InP層(第4層)を積層した電流ブロック構造とを有する半導体レーザにおいて、第1層と第2層の間または第2層と第3層の間の少なくとも一方に、ノンドープInP層、n型InP変成層およびp型InP変成層から選ばれる少なくとも1層を設けた半導体レーザ。(但し、n型(p型)InP変成層は、n型(p型)InP層側からp型(n型)InP層側にかけて層内のn型(p型)不純物濃度が連続的に1×1017cm-3以下まで減少している層である。また、n型InP変成層はn型InP層に隣接して設け、p型InP変成層はp型InP層に隣接して設けるものとする。) |
| 公开日期 | 1998-07-16 |
| 申请日期 | 1996-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83253]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 半導体レーザ. JP2776375B2. 1998-05-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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