半導体レーザ装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 廣中 美佐夫 |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | JP1995066492A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置のスロープ効率を向上させ、低動作電流での動作を可能として、高信頼性を得ることができる、作製が容易な半導体レーザ装置,及びその製造方法を得る。 【構成】 電流通路となるリッジ5を含むp-Alx Ga1-x As上クラッド層4の表面全面を覆うように、n-Alz Ga1-z As電流ブロック層,p-GaAsキャップ層21をエピタキシャル成長により形成した後、拡散もしくはイオン注入により不純物を導入して、リッジ5上部の電流ブロック層20の導電形を反転させ、導電形反転領域22を形成した。 |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1993-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣中 美佐夫. 半導体レーザ装置,及びその製造方法. JP1995066492A. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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