半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 晃広; 大林 健 |
| 发表日期 | 2002-06-28 |
| 专利号 | JP3322928B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ発光の閾値電流を低減して、消費電流を低減できる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 この半導体レーザ装置は、活性層102がp型クラッド層103,104とn型クラッド層101とで挟まれている。p型クラッド層103は、活性層102に近接している高キャリア濃度部である。p型クラッド層104は、p型クラッド層103よりも活性層102から離隔していると共に、p型クラッド層103よりもキャリア濃度が低い低キャリア濃度部である。p型クラッド層103が活性層102からの電子の漏れ出しを防止し、p型クラッド層104では電流の広がりが抑えられる。 |
| 公开日期 | 2002-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 晃広,大林 健. 半導体レーザ装置. JP3322928B2. 2002-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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