半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 浩行; 嶋本 敏孝; 牧田 幸治 |
| 发表日期 | 2008-08-14 |
| 专利号 | JP2008186859A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ部を形成する材料と電流ブロック層を形成する材料とが異なっている場合に、その材料の相違に基づく応力の発生を低減させて発光領域に与えられる影響を小さくし、信頼性の高い半導体レーザ装置とその製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層の一部がストライプ状に加工されたリッジ部と、前記リッジ部上の一部の領域を除いて形成された電流ブロック層とを備え、前記リッジ部の側方に、前記第2導電型クラッド層の一部が加工されて形成された、前記リッジ部より高さの低い応力緩和部を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-14 |
| 申请日期 | 2007-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83263]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 浩行,嶋本 敏孝,牧田 幸治. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2008186859A. 2008-08-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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