半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 江川 満; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036478A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ等の半導体装置の製造方法に関し、選択成長マスク上への横方向の結晶成長を低減する手段を提供する。 【構成】 n型(100)InP基板1等の半導体基板の表面のにストライプ状の開口部を有するマスク2を形成し、この開口部に有機金属気相成長法により半導体レーザ構造を選択的に積層する場合において、開口部のn型(100)InP基板1に凹部を形成し、その上にこの凹部の深さより薄い膜厚のn型InPバッファ層3を成長してマスク2の上へのn型InPバッファ層3の成長を防ぎ、その上にInGaAsP活性層4、p型InPクラッド層5を成長する。凹部を形成することなく、バッファ層として、横方向の成長速度が小さく、InPと格子整合し、かつ、活性層よりも大きい禁制帯幅を有するInGaAsPを成長することができる。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83266]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川 満,藤井 卓也. 半導体装置の製造方法. JP1997036478A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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