半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 松村 篤志; 古川 将人 |
| 发表日期 | 2009-06-25 |
| 专利号 | JP2009140964A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】光出力が低下することを防止しつつ、活性層の放熱性を高めることが可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】発光領域16が設けられた領域Aの真上に、コンタクト層19の屈折率より低い屈折率を有するSiO2層からなる低屈折率層21が設けられている。このため、低屈折率層21が発光領域16から発生した光を閉じ込める役割を果たすこととなり、コンタクト層19は発光領域16から発生した光の吸収層として働きにくくなる。したがって、コンタクト層19により光出力のロスが発生することを低減でき、光出力が低下することを防止できる。また、コンタクト層19が光の吸収層として働きにくいことから、第2導電型クラッド層17の厚みを薄くすることが可能となる。したがって、発光領域16から発生した熱に対する放熱性を高めることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-06-25 |
| 申请日期 | 2007-12-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松村 篤志,古川 将人. 半導体レーザ. JP2009140964A. 2009-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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