半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 尚孝 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129981A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】InP基板上に低い発振しきい値電圧をもつ光半導体素子の提供。 【解決手段】pクラッド層104(ZnMgCdSe)上にpコンタクト層としてNドープp型ZnTe/Nドープp型ZnSe短周期歪み超格子層(ZnSe:0.3nm/ZnTe:0.3nm、ZnSe:0.4nm/ZnTe:0.4nm、ZnSe:0.5nm/ZnTe:0.5nm、ZnSe:0.6nm/ZnTe:0.6nm、…ZnSe:2nm/ZnTe:2nm、10周期)105を形成し、コンタクト層部分で高いドーピング濃度と良好な結晶性を実現でき、かつ層厚を徐々に大きくすることによってホールに対するバリアを実効的に低くできるため、低い電圧で駆動することができる。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝. 半導体発光素子. JP1997129981A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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