半導体レーザ発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 高森 晃; 井戸田 健; 鈴木 友子; 内山 潔; 菊地 理恵; 中島 眞人 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021896A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ発光装置に関する。Al組成比が高く、かつ高濃度にドーピングされたクラッド層を有する高性能の半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 GaAsを基板とし、p,またはn型不純物の活性化率が1で、かつ、少なくとも1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有する(AlxGa1-x)yIn1-yP(0.5xGa1-x)yIn1-yP(0.019cm-3までは、活性化率が100%でドーピングされた結晶が得られ、p型高濃度ドーピングの方法として優れている。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 晃,井戸田 健,鈴木 友子,等. 半導体レーザ発光装置. JP1993021896A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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