半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 八重樫 浩樹; 中島 徹人; 堀川 英明; 後藤 修; 中村 幸治 |
| 发表日期 | 1998-12-22 |
| 专利号 | JP1998341058A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 出力光強度が増加しても、横基本モードで安定して動作可能なこと。 【解決手段】 活性層110の有効屈折率を、導波層104が無いと仮定したときの活性層110を伝搬する導波モードに対する有効屈折率とし、および導波層104の有効屈折率を、活性層110が無いと仮定したときの導波層104を伝搬する導波モードに対する有効屈折率とする場合に、活性層110の1次導波モードに対する有効屈折率と導波層104の1次導波モードに対する有効屈折率とを実質的に等しく設定してある。 |
| 公开日期 | 1998-12-22 |
| 申请日期 | 1997-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83297]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八重樫 浩樹,中島 徹人,堀川 英明,等. 半導体レーザ. JP1998341058A. 1998-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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