Semiconductor light-emitting device
文献类型：专利
| 作者 | YOKOTSUKA, TATSUO; TAKAMORI, AKIRA |
| 发表日期 | 1992-06-23 |
| 专利号 | US5124995 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device |
| 英文摘要 | A semiconductor light-emitting device comprising a substrate formed of GaAs, a cladding layer formed of (AlxGa1-x)yIn1-yP and an active layer formed of GayIn1-yP (0.5 |
| 公开日期 | 1992-06-23 |
| 申请日期 | 1991-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83316]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YOKOTSUKA, TATSUO,TAKAMORI, AKIRA. Semiconductor light-emitting device. US5124995. 1992-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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