半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 若月 温; 河村 裕一; 岩村 英俊 |
| 发表日期 | 1993-02-19 |
| 专利号 | JP1993041562A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 高品質で、かつDFB化も容易なInGaAs/InGaAlAs系レーザ等の半導体発光素子を実現する。 【構成】 第1導電形のInP半導体基板1上に、クラッド層となる第1導電形を有する第1の半導体層2と、ガイド層となる第2の半導体層12と、活性層となる第3の半導体層4と、ガイド層となる第4の半導体層11と、クラッド層となる第2導電形を有する第5の半導体層6と、電極層となる第2導電形を有する第6の半導体層7とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層4がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層11,12をIn(1-u)Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)とした。 |
| 公开日期 | 1993-02-19 |
| 申请日期 | 1991-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83324]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 若月 温,河村 裕一,岩村 英俊. 半導体発光素子. JP1993041562A. 1993-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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