半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 浩樹; 粂 雅博 |
| 发表日期 | 2002-03-29 |
| 专利号 | JP3292787B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光情報処理等の光源として用いられる低動作電流値の実屈折率導波型の半導体レーザ装置の歩留まりを向上させる。 【構成】 n型の半導体基板1の上にバッファ層2及びクラッド層3が形成され、クラッド層3の上にGa1-X AlX Asよりなる活性層4が形成されている。活性層の上にGa1-Y1AlY1Asよりなるn型の第1の光ガイド層5が形成され、第1の光ガイド層5の上にGa1-Y2AlY2Asよりなるn型の第2の光ガイド層6がストライプ状に形成されている。第1の光ガイド層5及び第2の光ガイド層6の上には、Ga1-Y3AlY3Asよりなるn型のクラッド層7が形成され、第1の光ガイド層5とクラッド層7との間の界面抵抗は、第1の光ガイド層5と第2の光ガイド層6との間の界面抵抗及び第2の光ガイド層5とクラッド層7との間の界面抵抗のいずれよりも大きい。活性層4、第1及び第2の光ガイド層5,6並びにクラッド層7の各混晶比のX、Y1、Y2及びY3の間にY3>Y2及びY1>X≧0の関係が成り立っている。 |
| 公开日期 | 2002-06-17 |
| 申请日期 | 1995-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 浩樹,粂 雅博. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP3292787B2. 2002-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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