半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平谷 雄二; 勝見 隆一; 柏 享 |
| 发表日期 | 1994-08-05 |
| 专利号 | JP1994216470A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高性能な半導体発光素子を再現性良く、また生産性良く製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 3-5族化合物半導体基板21上に、3-5族化合物半導体層22、23、24、25を積層してエピウェハを形成し、次いで、前記エピウェハに光導波路および電流狭窄層を形成する工程を有する半導体発光素子の製造方法において、エピウェハの発光領域近傍28を酸化することにより光導波路および電流狭窄層を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-08-05 |
| 申请日期 | 1993-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83341]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平谷 雄二,勝見 隆一,柏 享. 半導体発光素子の製造方法. JP1994216470A. 1994-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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