半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114665A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板にGaAs基板を用いて容易に製造することができ、しかも、良好な特性を実現することができる長波長帯で発光可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板にn型GaAs基板1を用いたSCH構造の半導体レーザにおいて、活性層に(Bx Ga1-x )y In1-y As活性層4(ただし、0x Ga1-x )y In1-y As活性層4におけるx,yは、(Bx Ga1-x )y In1-y As活性層4がn型GaAs基板1と格子整合するように選ぶ。クラッド層にはn型AlGaAsクラッド層2およびp型AlGaAsクラッド層6を用い、光導波層にはn型(Bu Ga1-u )v In1-v As光導波層3およびp型(Bu Ga1-u )v In1-v As光導波層5(ただし、0 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,岡野 展賢. 半導体発光素子. JP2000114665A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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