半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 隆志 |
| 发表日期 | 2008-08-28 |
| 专利号 | JP2008198942A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。 【解決手段】半導体光素子10は、井戸層31及びバリア層32を含み量子井戸構造を有する活性層15と、バリア層32上に設けられIII-V族化合物半導体材料からなるオフセット層35(第1のクラッド層)と、オフセット層35上に設けられp型不純物を含む電子ストッパー層17と、電子ストッパー層17上に設けられオフセット層35と同一材料からなり、電子ストッパー層17のp型不純物濃度よりも低い濃度のp型不純物を含む第2のクラッド層18とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-28 |
| 申请日期 | 2007-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体光素子. JP2008198942A. 2008-08-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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