半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 洋治; 的場 昭大; 坪田 孝志 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145174A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み型半導体発光素子を製造するに当たり、クラッド層と電流阻止層との接触を防止してリーク電流が発生しないようにし、かつ活性層の幅を狭くつくる。 【構成】 化合物半導体からなる下地上に誘電体からなる所定の形状のマスクを形成する。前記下地のマスクで覆われている部分をメサ形状にする。このようなメサ形状部分を形成した下地に対し内部電流狭窄層を成長させ、前記マスクを除去した後、ダブルヘテロ構造用の各半導体層を成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83367]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 洋治,的場 昭大,坪田 孝志. 半導体発光素子の製造方法. JP1993145174A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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