AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 真佐知; 今野 泰一郎; 金田 直樹; 柴田 憲治 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015801A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ |
| 英文摘要 | 【課題】 発光出力が高く信頼性の高いAlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 【解決手段】 上部電極をp型電極として用いる標準的なAlGaInP系発光ダイオードにおいて、p型電流拡散層6と、p型クラッド層5との間に、p型クラッド層5よりも格子定数の大きい挿入層7を挿入し、発光層に加わる歪みを緩和して、活性層4への不純物の拡散を防止し、発光素子の出力低下を防止する。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83368]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 真佐知,今野 泰一郎,金田 直樹,等. AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ. JP2001015801A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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