半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中島 徹人; 八重樫 浩樹; 中村 幸治; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223970A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 素子動作時の横モードを任意に調整することができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 GaAs基板10と、この基板10の上側の第1クラッド層20と、この第1クラッド層20の上側の活性層30と、この活性層30の上側の第2クラッド層とを少なくとも備え、その活性層30の上側の第2クラッド層40にリッジ部70が形成されているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記第2クラッド層40のリッジ部70の側面近傍において、このリッジ部70の両側の前記第2クラッド層40に他の領域と電極分離された横モード制御電極110を形成し、この横モード制御電極110に逆バイアスを印加することにより、両端面近傍における光閉じ込め強度を調整することができ、高出力動作時において安定な基本横モード発振が得られる。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83369]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中島 徹人,八重樫 浩樹,中村 幸治,等. 半導体レーザ. JP1998223970A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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