半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 由美; 藤本 毅 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092936A |
| 著作权人 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャリアブロック層のポテンシャルバリアを低減し、駆動電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板40の上に、順次、第2n型クラッド層31、第1n型クラッド層32、n型キャリアブロック層33、二重量子井戸構造を持つ活性層34、Al組成比が層厚方向に沿って台形型に分布するp型キャリアブロック層35、第1p型クラッド層36、第2p型クラッド層37、およびp型コンタクト層39がそれぞれ形成されている。p型コンタクト層39には、電流狭窄層が中央のストライプ部を両側から挟むように埋め込まれている。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1996-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83370]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 由美,藤本 毅. 半導体レーザ素子. JP1997092936A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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