半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小路 元 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP1999261156A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高温·高出力動作における埋め込み層への漏れ電流が小さく、且つ、低閾値、高効率動作、高速変調が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1導電型のクラッド層12と、クラッド層12上に形成された活性層14と、活性層14上に形成された第2導電型のクラッド層16とを有し、少なくとも活性層14及びクラッド層16によりメサストライプが構成されており、メサストライプの両側にInAlAs酸化層よりなる埋め込み層22が形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-09-24 |
| 申请日期 | 1998-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83371]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小路 元. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999261156A. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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