半導体レ—ザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 宮永 良子; 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 辻村 歩; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 上山 智 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012982A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 紫外領域においても発振可能な半導体レーザ素子を実現できるようにすると共に素子の信頼性の向上を図る。 【解決手段】 サファイアからなる基板11上に、GaNからなるバッファ層12とSiがドープされたn型GaNからなるn型コンタクト層13とが順次形成されている。n型コンタクト層13上の素子形成領域には、n型Al0.3 Ga0.7 Nからなるn型クラッド層14と、n型Al0.25Ga0.75Nからなるn型光ガイド層15と、Al0.2 Ga0.8 Nからなる井戸層及びAl0.25Ga0.75Nからなる障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸活性層16と、Mgがドープされたp型Al0.25Ga0.75Nからなるp型光ガイド層17と、p型Al0.4Ga0.6 N0.98P0.02からなるp型クラッド層18と、p型GaNからなるp型コンタクト層19とが順次形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1999-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83376]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,宮永 良子,木戸口 勲,等. 半導体レ—ザ素子. JP2000012982A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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