半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 舟橋 政樹; 谷津 亮介; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2006-11-02 |
| 专利号 | JP2006303521A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】ファブリー·ペローモードの発振を抑制し大きな副モード抑圧比(SMSR)を示す半導体レーザ素子、及び接合係数の均一性が良好で、製品歩留まりの高い半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】DFBレーザ素子10は、発振波長が1550nmの埋め込みへテロ型であって、n-InP基板12上に、n-InPバッファ層14、活性層16、p-InPスペーサ層18、GaInAsP層からなる回折格子20、及び回折格子を埋め込んだp-InP第1クラッド層22の積層構造を備える。活性層の光利得分布のピーク波長λmaxは約1530nm、回折格子のバンドギャップ波長は約1510nmである。λg が約1510nmのGaInAsPで回折格子を形成することにより、発振波長の1550nm付近の波長に対しては、殆ど吸収が起らない。活性層の光利得分布のピーク波長に対する吸収係数が、発振波長に対する吸収係数よりも大きい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-11-02 |
| 申请日期 | 2006-06-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83377]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舟橋 政樹,谷津 亮介,粕川 秋彦. 半導体レーザ素子. JP2006303521A. 2006-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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