半導体光集積素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 誠; 青木 雅博; 高橋 誠; 谷渡 剛 |
| 发表日期 | 2002-03-08 |
| 专利号 | JP3285426B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】量子井戸構造をもつ複数の異種機能を有する光素子間の100%光結合を容易に実現し、高歩留まりな作製方法を実現する。また、成長方向に均一な成長速度を得ること、光軸と直交方向に平坦な面内波長分布を得ること、埋込工程への適用を平易にすること、光通信システムの長距離化を容易に実現する素子を製造する。 【構成】半導体基板1上に形成した絶縁膜パタ-ニングマスク2を用いた領域選択成長において、マスク幅並びにマスク間の目開き幅の可変範囲を数値限定し、同一の結晶成長工程で同一半導体基板1上に連続し且つ成長層厚又は組成が各光素子領域で異なる複数のバルク半導体層又は量子井戸構造3、4、5を形成し、それらのエネルギ-準位の差を利用して異種機能を有する半導体光素子を同一半導体基板1上に集積化する。 |
| 公开日期 | 2002-05-27 |
| 申请日期 | 1993-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 誠,青木 雅博,高橋 誠,等. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP3285426B2. 2002-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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