半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 喜嶋 悟 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150332A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作特性および寿命特性に優れ、高い信頼性を実現することができるII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSeを光導波層、ZnMgSSeをクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、p型ZnMgSSeクラッド層9上に、ストライプ形状を有する部分とその両側の溝10aとを有するp型ZnSSeキャップ層10を設ける。溝10aの先端部はp型ZnMgSSeクラッド層9の厚さ方向の途中の深さに達する。p型ZnSSeキャップ層10のストライプ形状を有する部分の上にp型ZnSeコンタクト層11、p型ZnSe/ZnTeMQW層12およびp型ZnTeコンタクト層13を設ける。溝10aの部分におけるp型ZnMgSSeクラッド層9および溝10aの外側の部分におけるp型ZnSSeキャップ層10の上に絶縁層14を設け、電流狭窄構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,喜嶋 悟. 半導体発光素子. JP1999150332A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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