半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中島 徹人; 八重樫 浩樹; 堀川 英明; 後藤 修 |
| 发表日期 | 1996-05-21 |
| 专利号 | JP1996130343A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジウエーブカード型の半導体レーザのコンタクト窓を精度良く形成する方法を提供する。 【構成】 導波路を形成する下地上にコンタクト層と、エッチング層と、エッチングキャップ層とを順次形成する。その後、エッチングキャップ層上にストライプ状の絶縁マスクを形成した後、エッチングキャップ層から下地の厚み方向の一部分までにわたり異方性エッチングを行って予備リッジ25を形成する。続いて、予備リッジを構成しているエッチング層部分の外周部分を選択エッチングして開口部21を形成する。その後、開口部が形成された予備リッジの表面と残存した下地の露出面に、開口部のところで段切れを有する絶縁膜26a,26bを形成する。更に、選択エッチングにより残存しているエッチング層部分を除去してコンタクト窓29を有するリッジ31を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-05-21 |
| 申请日期 | 1994-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83389]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中島 徹人,八重樫 浩樹,堀川 英明,等. 半導体レーザの製造方法. JP1996130343A. 1996-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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