半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 横内 則之; 岩井 則広 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133877A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 劈開面の不良品化率が低減するので製造コストは低廉となり、またしきい値電流も低く、長時間駆動時の特性劣化も起こしづらい半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 含Al化合物半導体から成る層4を含むリッジ構造Aが上部に形成され、かつ層4の両側部分は酸化されている半導体レーザ素子であって、前記リッジ構造Aにおけるレーザ光の発振面Sは非酸化面になっている。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83392]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横内 則之,岩井 則広. 半導体レーザ素子. JP2000133877A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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