半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 渡邊 実 |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078789A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、第1クラッド層12上に、活性層14、第2クラッド層16、第2クラッド層16の所定箇所が露出する開口部を有する電流ブロック層17、開口部に通電容易層18と、この通電容易層18記電流ブロック層17を覆う第2導電型のコンタクト層とが順次形成された半導体レーザ装置において、電流ブロック層17が、第2クラッド層16に対し、バンドギャップが小さくかつ逆の導電型で形成されていることを特徴とする。 【効果】 本発明を用いると、良好な電流ブロック構造を損なうことなく、電流ブロック層と第2クラッド間に生じる大きい静電容量を低下させることができ、その結果、高周波動作時にも出力が低下しにくい半導体レーザ装置を提供することができる。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83399]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邊 実. 半導体レーザ装置. JP1996078789A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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