半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 入川 理徳; 伊賀 健一 |
| 发表日期 | 1994-09-02 |
| 专利号 | JP1994244509A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 室温以上の高温で発振する青色半導体光素子を提供する。 【構成】 2族元素としてZnもしくはCdのいずれかを含み、6族元素としてS、SeもしくはTeのいずれかを含む化合物半導体から構成され、活性層4とクラッド層6を含むダブルヘテロ構造を有する半導体光素子において、クラッド層6あるいは光閉じ込め層5の一部に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する、歪超格子層を用いた多重量子障壁構造8を設ける |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83410]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 入川 理徳,伊賀 健一. 半導体光素子. JP1994244509A. 1994-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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