半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐川 みすず; 豊中 隆司; 平本 清久; 篠田 和典; 土屋 朋信 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263812A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光通信システムに用いる希土類添加光ファイバ増幅器励起用光源として駆動電流を上昇させることなく高出力を実現し、高信頼性を有する半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上にGaAsバッファ層2、GaAs基板に格子整合したn-InGaPクラッド層3、InGaAsP障壁層13、15及びInGaAs歪量子井戸層14から構成される活性層4、GaAs基板に格子整合したp-InGaPクラッド層5、p-GaAs光導波路層6、GaAsに格子整合したp-InGaPクラッド層7、p-GaAsキャップ層8により形成されるリッジがn-InGaP電流狭窄層9により埋込まれることにより構成されている。 【効果】 高温高出力時においても熱飽和による素子特性劣化を起こすことなく、長時間にわたって安定に動作する半導体レーザを実現することができる。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,豊中 隆司,平本 清久,等. 半導体レーザ装置. JP1995263812A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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