中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者油川 雄司; 大塚 裕幸; 鳥羽 弘
发表日期1999-02-16
专利号JP1999044831A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【課題】 所定の結合効率が得られるとともに、反射光によるレーザの雑音特性の劣化を低減でき、さらに高い歩留りで安価に製作可能にする。 【解決手段】 光導波路の入射光の進行方向と光導波路の光軸が一致しないように光導波路を配置する。入射端面が傾斜していない光導波路を用いる場合には、光導波路の入射光の進行方向と光導波路端面の法線(光導波路の光軸)との成す角θ2 は、 0.7≦θ2≦10.2 の範囲に設定する。また、入射端面が傾斜している斜め研磨光導波路を用いる場合(斜め研磨角度φ)には、光導波路の入射光の進行方向と光導波路の光軸とのなす角|φ-θ2|は、0.7 ≦|φ-θ2|≦10.2の範囲に設定する。
公开日期1999-02-16
申请日期1997-07-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83421]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
油川 雄司,大塚 裕幸,鳥羽 弘. 半導体レーザモジュール. JP1999044831A. 1999-02-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。