半導体レーザモジュール
文献类型:专利
| 作者 | 油川 雄司; 大塚 裕幸; 鳥羽 弘 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999044831A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュール |
| 英文摘要 | 【課題】 所定の結合効率が得られるとともに、反射光によるレーザの雑音特性の劣化を低減でき、さらに高い歩留りで安価に製作可能にする。 【解決手段】 光導波路の入射光の進行方向と光導波路の光軸が一致しないように光導波路を配置する。入射端面が傾斜していない光導波路を用いる場合には、光導波路の入射光の進行方向と光導波路端面の法線(光導波路の光軸)との成す角θ2 は、 0.7≦θ2≦10.2 の範囲に設定する。また、入射端面が傾斜している斜め研磨光導波路を用いる場合(斜め研磨角度φ)には、光導波路の入射光の進行方向と光導波路の光軸とのなす角|φ-θ2|は、0.7 ≦|φ-θ2|≦10.2の範囲に設定する。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83421] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 油川 雄司,大塚 裕幸,鳥羽 弘. 半導体レーザモジュール. JP1999044831A. 1999-02-16. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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