半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 浩樹 |
| 发表日期 | 2002-08-30 |
| 专利号 | JP3344084B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 動作電流値が低く、高信頼性で3ビームを発振する半導体素子を用い、回折格子を必要としない光ピックアップ装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子と、記録媒体からの反射光の光路上に設置され反射光の光路を変更するホログラムと、反射光を受光する受光素子からなり、半導体レーザ素子11はn型のGaAs基板31の上に第1クラッド層(n型Ga0.4Al0.6As)32、活性層(Ga0.85Al0.15As)33、第1光ガイド層(p型Ga0.5Al0.5As)34、および第2光ガイド層(p型Ga0.8Al0.2As)35が形成されており、電流狭窄のために電流チャンネルとなる窓36a、36b,36c以外の領域には電流ブロック層(n型Ga0.4Al0.6As)36が形成されている。これらの上に第2クラッド層(p型Ga0.5Al0.5As)37が形成されている。 |
| 公开日期 | 2002-11-11 |
| 申请日期 | 1994-06-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83428]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 浩樹. 半導体レーザ装置. JP3344084B2. 2002-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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