半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菊川 知之; 川面 英司; 吉田谷 弘明 |
| 发表日期 | 1995-02-07 |
| 专利号 | JP1995038198A |
| 著作权人 | ANRITSU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、高出力動作、単一モード発振を可能とする端面保護膜を備えた半導体レーザに関する。 【構成】レーザ共振器面に設けた端面保護膜が、基板と格子整合がとれそれぞれ異なった屈折率を有し、厚さがレーザ光波に対する1/4波長相当長である一対の半導体材料でなること。それが、レーザ共振器面にほぼ平行に形成されていること。 |
| 公开日期 | 1995-02-07 |
| 申请日期 | 1993-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANRITSU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菊川 知之,川面 英司,吉田谷 弘明. 半導体レーザ. JP1995038198A. 1995-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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